Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
 
+7 (4912) 72-03-73
 
Интернет-портал РГРТУ: http://rsreu.ru

УДК 621.315.592, 621.317.08, 543.456

ЛОКАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ C-V-ХАРАКТЕРИСТИК СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ p-Si С МОДИФИЦИРОВАННОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ

Д. С. Кусакин, инженер кафедры МНЭЛ РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
В. Г. Литвинов, к.ф.-м.н., доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н. Б. Рыбин, к.ф.-м.н., доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
В. С. Литвинова, к.т.н., доцент кафедры ТОР РГРТУ, Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
В. Н. Щелушкин, ведущий специалист ООО «СОЛЭКС-С»
А. И. Худыш, директор ООО «СОЛЭКС-С»

Разработан автоматизированный измерительный комплекс для локального исследования вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур на основе зондовой системы атомно-силового микроскопа. Описана методика измерения электрической емкости при контакте к поверх- ности образца проводящим зондом АСМ. Целью данной работы является проведение исследований электрических свойств полупроводниковой структуры с развитым рельефом поверхности, использующейся при производстве солнечных элементов на основе Si. Получены экспериментальные C-V- характеристики тестового образца с развитым рельефом поверхности в глубине рельефа и на его возвышенности. Построен профиль концентрации НЗ для тестовой структуры на возвышенности и во впадине. Обнаружено различие в концентрации НЗ в разных областях тестового образца.

Ключевые слова: измерительный комплекс, C-V- характеристика, профиль концентрации НЗ, атомно-силовая микроскопия, солнечный элемент, проводящий зонд АСМ.

 Скачать статью