Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
 
+7 (4912) 72-03-73
 
Интернет-портал РГРТУ: http://rsreu.ru

УДК 621.382.2

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ДИОДОВ СИНЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЛЮМИНОФОРНЫХ ИСТОЧНИКАХ БЕЛОГО СВЕТА

А. Е. Чижиков, д.т.н., профессор кафедры ЭП РГРТУ, Рязань, Россия; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
М. И. Галицын, магистрант РГРТУ, Рязань, Россия; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Целью работы является получение по экспериментальным данным синего чипа люминофорного источника белого света основных параметров теоретической ВАХ перехода и анализ влияния нагрева структуры протекающим током на отклонение экспериментальной ВАХ от теоретической с целью определения условий наибольшей относительной эффективности чипа. Приведены результаты аналитического и экспериментального исследования эффективности чипа – синего диода на GaN с кантовыми ямами в источниках белого света TDS-P003L4U10 и BL-L522UWC. Установлено, что эффективность чипов зависит от соотношения сопротивления перехода и последовательного сопротивления структуры, определяемого зависящей от тока температурой чипа. Исследовано влияние температуры чипа на ход ВАХ в диапазоне 20 °С – 180 °С. Наиболее эффективное использование подводимого тока обеспечивается тогда, когда сопротивление перехода в данном режиме существенно больше полного сопротивления структуры. Установлено, что в мощном TDS-P003L4U10 отклонение ВАХ обусловлено сопротивлением контактных проволочек, соединяющих кристалл с сильноточным выводом, а в маломощном BL-L522UWC – сопротивлением слоев GaN и подложки.

Ключевые слова: синий светодиод, чип, нитрид галлия, относительная эффективность, теоретическая ВАХ светодиода, гетероструктура, квантовые ямы.

 Скачать статью