УДК 538.975:535.3:004.2:004.31
ОПТИМИЗАЦИЯ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ Ge2Sb2Te5 ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ
Н. В. Вишняков, к.т.н., доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н. М. Толкач, младший научный сотрудник кафедры МНЭЛ РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
П. С. Провоторов, магистрант РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Рассматривается задача нахождения оптимальных параметров (толщина слоя, длины волн информационного и управляющего сигнала) тонкопленочной структуры на основе Ge2Sb2Te5 (далее по тексту − GST) для оптических переключателей. Для определения необходимых параметров был введен критерий оптимального переключения. В соответствии с этим критерием в аморфном состоянии отражающая способность пленки GST должна быть максимальна, пропускающая способность минимальна. Для пленки GST в кристаллическом состоянии, наоборот, отражающая способность минимальна, пропускающая способность максимальна. Отражающая и пропускающая способности структуры были рассчитаны с помощью модели Френеля − Эйри для многослойных сред. Для поиска
оптимальных параметров применялись численные методы градиентного спуска, минимизации и нелинейной оптимизации функций. Целью работы является оптимизация режимов работы (пропускание, отражение) оптического переключателя на основе тонкопленочной структуры GST.
Ключевые слова: тонкопленочная структура, Ge2Sb2Te5 (GST225, GST), оптический переключатель, фазовое состояние, аморфное состояние, кристаллическое состояние, информационный сигнал, управляющий сигнал, эффект фазового переключения, отражающая способность, пропускающая способность, критерий оптимального переключения.