УДК 621.382
СОЗДАНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ДВУМЕРНЫМ КАНАЛОМ НА ОСНОВЕ MoS2
В. С. Генералов, магистрант кафедры ЭиН НИУ «МЭИ»; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
А. И. Попов, д.т.н. профессор кафедры ЭиН НИУ «МЭИ»; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Целью работы является изготовление и исследование полевых МОП-транзисторов с двумерным каналом на основе дисульфида молибдена. Проведен анализ перспективности использования двумерного дисульфида молибдена в качестве канала МОП-транзистора с точки зрения возможности миниатюризации приборов. Разработана и апробирована лабораторная технология изготовления таких транзисторов с глобальным и локальным тыловым затвором. Получены и проанализированы их вольтамперные характеристики.
Ключевые слова: МОП-транзистор, дисульфид молибдена, дихалькогениды переходных металлов, механическое скалывание, механическое сшелушивание, метод сухого переноса, электронная литография.