УДК 621.383
ИЗМЕРЕНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ВСТРОЕННЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУРАХ
С. П. Вихров, д.ф.-м.н., профессор, главный научный сотрудник РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н. В. Вишняков, к.т.н., доцент, директор РЦЗМкп РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
А. Д. Маслов, аспирант РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
В. Г. Мишустин, к.ф.-м.н., доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
А. Г. Романов, аспирант РГРТУ; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Рассматривается задача экспериментального измерения распределения встроенных электрических полей в многослойных барьерных гомо- и гетероструктурах на основе кристаллических и неупорядоченных полупроводников. Целью работы является применение метода компенсации тока нестационарной фотопроводимости для исследования полупроводниковых барьерных p-i-n и гетероструктур. В работе приведено описание экспериментального метода, его математического аппарата, разработанной экспериментальной установки и тестовых структур. Приведены результаты экспериментального исследования распределения встроенного поля в p-i-n-структуре на a-Si:H и гетероструктуре a-Si:H/c-Si, анализ экспериментальных данных, сформулировано направление работы по дальнейшему развитию метода.
Ключевые слова: распределение электрического поля, компенсационный метод, ток нестационарной фотопроводимости, гомо- и гетероструктуры, солнечные элементы.