УДК 004.932.2
АНАЛИЗ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ В БЛОКЕ МУЛЬТИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ТРЕХМЕРНОЙ ВИЗУАЛИЗАЦИИ ВНУТРЕННЕЙ СТРУКТУРЫ
А. Е. Серебряков, к.т.н., доцент кафедры «Электронные приборы» РГРТУ, Рязань, Россия;
orcid.org/0000-0002-8593-7374, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
О. А. Беляков, менеджер по СМК ООО «ХЕЛИОС-Ресурс», Саранск, Россия;
orcid.org/0000-0003-4138-9684, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Рассматриваются результаты исследования трехмерной модели внутренней кристаллической структуры блока мультикристаллического кремния, полученного методом направленной кристаллизации по высокоэффективной технологии HPM (high performance mc-Si). Трехмерная модель построена на основе цифровой обработки изображений сигнала интенсивности фотолюминесценции с поверхности пластин, полученных из исследуемого блока. Целью работы является экспериментальное исследование распределения областей скопления дефектов по высоте в объеме блока кремния. Исследование внутренней мультикристаллической структуры и распределения дефектов по мере кристаллизации блока классическими методами требует больших затрат времени и разрушения образца вдоль направления роста. Это неприменимо в условиях производственного процесса. В настоящей работе излагаются результаты анализа распределения дефектов по направлению роста кристалла кремния. Построение трехмерной модели производится с использованием программной среды MATLAB.
Ключевые слова: цифровая обработка изображений, мультикристаллический кремний, highperformance mc-Si (HPM), трехмерная модель, дефекты, диффузионное загрязнение, дислокации, изображение фотолюминесценции.