УДК 621.315.592
ИССЛЕДОВАНИЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ В КАЧЕСТВЕ МАСКИ ПРИ ГАЛЬВАНИЧЕСКОМ ОСАЖДЕНИИ МЕДНЫХ ЭЛЕКТРОДОВ ДЛЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
М. А. Региневич, генеральный директор ООО «РСТ», Москва, Россия;
orcid.org/0000-0003-0412-2200, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
С. М. Карабанов, д.т.н., профессор кафедры ЭП, Рязань, Россия;
orcid.org/0000-0003-3887-7062, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
В. Э. Бугров, к.ф.м.н., научный сотрудник ООО «Фемтоника», Москва, Россия;
orcid.org/0000-0002-8279-2261, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Целью работы является исследование возможности использования слоя нитрида кремния в качестве маски при гальваническом осаждении медных электродов для металлизации гетероструктурных солнечных элементов на монокристаллическом кремнии и особенности вскрытия контактных окон импульсным лазерным излучением фемтосекундной длительности. Определена плотность энергии, необходимая для вскрытия контактных окон при использованном зародышевом слое из тонкой пленки серебра. Прояснен механизм абляции тонких диэлектрических пленок с зародышевого слоя лазерными импульсами фемтосекундной длительности.
Ключевые слова: кремниевые кристаллические солнечные элементы, гетероструктурные солнечные элементы, слои аморфного кремния, нитрид кремния, фемтосекундный лазерный импульс, гальваническое осаждение меди.