УДК 681.3
КЛАССИФИКАЦИЯ ОШИБОК ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ
П. С. Бабкин, старший преподаватель кафедры «Информационные системы и телекоммуникации», Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана, Москва, Россия;
orcid.org/0000-0003-0829-2661, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
За последние 15 лет вместе с развитием DRAM‑памяти заметно эволюционировали и средства контроля её надёжности. Появился широкий набор инструментов для обнаружения и коррекции ошибок, что существенно снизило риск скрытых отказов и простоя систем. В статье рассмотрена задача классификации основных типов ошибок DRAM‑памяти как с точки зрения электрических дефектов, так и с точки зрения функциональных дефектов. Целью работы являются анализ и классификация типов ошибок оперативной памяти. В памяти ошибки бывают двух типов: проходящие, вызванные ошибкой передачи или «спонтанного» изменения заряда и постоянные (дефекты), вызванные неис- правностью области памяти и стабильно генерирующие ошибки чтения при обращении к этим областям. Статистически примерно 90 % ошибок памяти вызваны дефектом строки [1], поэтому стандарт DDR4 DIMM (JEDEC JESD79-4B) предусматривает минимум 1 резервную строку на каждую группу банков. Приведены примеры наиболее часто встречающихся функциональных неисправностей.
Ключевые слова: DRAM-память, ошибки ячейки памяти, ошибки адресации, взаимное влияние между ячейками памяти, классификация, модели ошибок памяти, алгоритмы.