УДК 621.382
ИССЛЕДОВАНИЕ МЕДЛЕННЫХ ЛОВУШЕК
В ПОДЗАТВОРНОМ ДИЭЛЕКТРИКЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА
С ПОМОЩЬЮ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО ИЗМЕРЕНИЯ
ПРОХОДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
В. Е. Драч, к.т.н., доцент кафедры ЭИУ1-КФ КФ МГТУ им. Н.Э.Баумана; Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Измерение проходных характеристик полевого транзистора (ID-VG) можно проводить неодно-
кратно, однако все кривые будут идентичны. Если полевой транзистор подвергается стрессу (на-
пример, инжекция по Фаулеру–Нордгейму), а затем проходит стадию разрядки, дальнейшие измере-
ния ID-VG приведут к получению набора отличающихся кривых – иными словами, наблюдается
«сдвиг» характеристик ID-VG. Для изучения сдвига кривых ID-VG, полученных в результате последо-
вательных измерений, разработана специальная методика, включающая фазу разрядки и фазу изме-
рений. Для количественного описания явления предлагается использовать две характеристики: раз-
ность ΔID,IVH между двумя последовательно снятыми кривыми ID-VG и разность ΔVth,IVH пороговых
напряжений, определенных по результатам двух последовательно проведенных измерений.
В данной статье детально изучаются явление сдвига проходных характеристик и медленные
приграничные ловушки, включая физическую природу явления, характеристики и процесс зарядки
медленных приграничных ловушек, влияющие факторы и параметры. Обсуждается возможность
использования данного явления в качестве удобного средства для изучения медленных приграничных
ловушек и показателя деградации.
Ключевые слова: подзатворный диэлектрик, МДП-структура, полевой транзистор, проходная характеристика, ловушки, зарядка, разрядка.