Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
 
+7 (4912) 72-03-73
 
Интернет-портал РГРТУ: https://rsreu.ru

УДК 621.382.3

КОНВЕРТИРОВАНИЕ ПАРАМЕТРОВ МОДЕЛИ МОП-ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ СИМУЛЯТОРОВ ЭЛЕКТРОННЫХ СХЕМ

С. В. Рыжов, инженер-конструктор АО «ОКБ Микроэлектроники», Калуга, Россия;
orcid.org/0000-0001-5330-2537, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
В. В. Андреев, д.т.н., профессор Калужского филиала МГТУ имени Н.Э. Баумана, Калуга, Россия;
orcid.org/0000-0002-8132-7050, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Д. М. Ахмелкин, заместитель генерального директора – главный конструктор АО «ОКБ Микроэлектроники», Калуга, Россия;
orcid.org/0000-0002-8788-3453, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
М. В. Романов, начальник отдела АО «ОКБ Микроэлектроники», Калуга, Россия;
orcid.org/0000-0003-1898-5939, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.

Приведено краткое описание алгоритма извлечения и подбора параметров EKV модели МОП транзистора. Преимущество данной компактной модели заключается в непрерывном описании поведения МОП транзистора от слабой до сильной инверсии. Целью работы является разработка программы для конвертирования модели BSIM в модель EKV, на основе оригинальной методологии экстракции параметров компактной модели, разработанной в Федеральной политехнической школе Лозанны. В данной работе выполнено конвертирование SPICE модели для технологии с проектными нормами 0,35 мкм фирмы XFAB. Полученная EKV модель хорошо согласуется с данными моделирования BSIM модели. На основе компактной модели извлечены параметры для упрощённой EKV модели, пред-
назначенной для ручных вычислений. В дальнейшем полученные модели могут быть использованы при проектировании низковольтных аналоговых схем и радиочастотных схем.

Ключевые слова: EKV модель, моделирование полупроводниковых приборов, проектирование аналоговых ИМС, МОП транзистор, САПР Cadence Virtuoso.

  Скачать статью