УДК 538.958:535.8
ВЛИЯНИЕ ОТЖИГА НА МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕНОСА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ С ПЛЕНКОЙ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ
В. В. Трегулов, к.т.н., доцент кафедры ОиТФиМПФ РГУ имени С.А. Есенина, Рязань, Россия;
orcid.org/0009-0001-1441-6918, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Г. Н. Скопцова, старший преподаватель, научный сотрудник кафедры ОиТФиМПФ РГУ имени С.А. Есенина, Рязань, Россия;
orcid.org/0009-0009-6224-7555, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н. Б. Рыбин, к.ф.-м.н., доцент, доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ, Рязань, Россия;
orcid.org/0000-0003-2000-0158, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н. В. Рыбина, к.ф.-м.н., доцент, доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ, Рязань, Россия;
orcid.org/0000-0003-0377-5605, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Представлены результаты исследования влияния термического отжига полупроводниковой структуры с пленкой пористого кремния на особенности процессов переноса носителей заряда и концентрацию ловушек. Пленка пористого кремния выращивалась методом металл-стимулированного травления. Исследования проводились методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик. Показано, что при отжиге в диапазоне температур 700 – 900 °C в течение 10 мин концентрация ловушек снижается более чем на два порядка величины. С ростом температуры отжига ухудшаются выпрямительные свойства полупроводниковой структуры. Также врезультате отжига возрастает влияние токов, ограниченных пространственным зарядом, на механизмы переноса носителей заряда.
Ключевые слова: пористый кремний, металл–стимулированное травление, термический отжиг, вольт-амперные характеристики, вольт-фарадные характеристики, ловушки, перенос носителей заряда.