УДК 538.958:535.8
СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ С P-N-ПЕРЕХОДОМ, СФОРМИРОВАННЫМ ОБЛУЧЕНИЕМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРА
В. С. Хилов, аспирант кафедры ОиТФиМПФ РГУ имени С.А. Есенина, Рязань, Россия;
orcid.org/0009-0002-1673-8029, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
В. В. Трегулов, д.т.н., профессор кафедры ОиТФиМПФ РГУ имени С.А. Есенина, Рязань, Россия;
orcid.org/0009-0001-1441-6918, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
А. И. Иванов, аспирант кафедры ОиТФиМПФ РГУ имени С.А. Есенина, Рязань, Россия;
orcid.org/0009-0002-7637-1433, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н. Н. Мельник, к.ф.-м.н., в.н.с. лаборатории физики неравновесных явлений в неоднородных системах, Физический институт имени П.Н. Лебедева РАН, Москва, Россия;
orcid.org/0000-0002-7058-0333, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
В. Г. Литвинов, д.ф.-м.н., доцент, заведующий кафедрой МНЭЛ РГРТУ, Рязань, Россия;
orcid.org/0000-0001-6122-8525, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н. В. Рыбина, к.ф.-м.н., доцент, доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ, Рязань, Россия;
orcid.org/0000-0003-0377-5605, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н. Б. Рыбин, к.ф.-м.н., доцент, доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ, Рязань, Россия;
orcid.org/0000-0003-2000-0158, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Показана возможность формирования p-n-перехода внутри пленки пористого кремния, выращенной металл-стимулированным травлением, посредством ее облучения наносекундными лазерными импульсами иттербиевого волоконного лазера с длинной волны 1064 нм. Исследование вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик образцов показало, что на их электрофизические характеристики существенное влияние оказывают ловушки с глубокими уровнями. Установлены режимы облучения, при которых в базовой области p-n-переходов возникает квантовый размерный эффект, вызванный уменьшением генерацией наноразмерных кремниевых кристаллитов. Установлены механизмы трансформации структуры пористых пленок при облучении лазером. Показано влияние ловушек и квантово-размерного эффекта на электрофизические и фотоэлектрические характеристики исследованных структур.
Ключевые слова: пористый кремний, металл–стимулированное травление, p-n-переход, лазерная абляция, комбинационное рассеяние света, фотоэлектрические характеристики, вольт-амперные характеристики, вольт-фарадные характеристики, глубокие энергетические уровни.