УДК 621.382.2
СЛОЙ РАСТЕКАНИЯ ТОКА НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК ITO ДЛЯ СВЕТОДИОДОВ СИНЕГО ЦВЕТА СВЕЧЕНИЯ
Ю. С. Жидик, к.т.н., ведущий научный сотрудник лаборатории ИОР ТУСУР, научный сотрудник лаборатории РФ ИОА СО РАН, Томск, Россия;
orcid.org/0000-0001-7803-2086, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Д. И. Засухин, инженер-технолог АО «НИИПП», Томск, Россия;
orcid.org/0009-0009-6498-5420, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
О. Н. Минин, начальник лаборатории АО «НИИПП», Томск, Россия;
orcid.org/0009-0004-0109-7593, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
П. Е. Троян, д.т.н., ведущий научный сотрудник лаборатории ИОР ТУСУР, Томск, Россия;
orcid.org/0000-0002-7349-0536, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Рассматривается задача формирования слоя растекания тока на основе пленок ITO для светодиодов синего цвета свечения. Целью работы являются определение оптимальных параметров слоя растекания тока ITO для светодиодов на основе AlInGaN-гетероструктур, а также разработка технологии осаждения пленок ITO методом реактивного магнетронного распыления на поверхность p-GaN-гетероструктуры. Толщина и удельное поверхностное сопротивление ITO, а также сопротивление контакта ITO/p-GaN оказывают значительное влияние на характеристики светодиода, содержащего слой растекания тока на основе ITO. Эти параметры были установлены в результате моделирования параметров и характеристик кристалла светодиода со слоем растекания тока ITO. Далее отрабатывается технология осаждения пленок ITO на поверхность p-GaN светодиодной AlInGaN-гетероструктуры с защитой от бомбардировки высокоэнергетическими заряженными частицами в процессе осаждения. Показано, что использование системы In+Sn/ITO в качестве слоя растекания тока позволило увеличить эффективность изготовленных светодиодов более чем в 2 раза относительно полупрозрачного контакта Ni/Au.
Ключевые слова: светодиод, ITO, слой растекания тока, омический контакт, гетероструктура.