УДК 621.382
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ГЕКСАГОНАЛЬНЫХ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Д. М. Бакеренкова, инженер-испытатель АО «НИИП», г. Лыткарино, Россия;
orcid.org/0009-0000-8670-812X, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
А. С. Петров, к.т.н., начальник отдела № 82 АО «НИИП», г. Лыткарино, Россия;
orcid.org/0009-0008-1198-980X, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Детально рассмотрена структура гексагональных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (МОПТ) и определена ширина канала. Концентрация легирующей примеси в подложке вычислена из прямой ветви вольт-амперной характеристики (ВАХ) перехода исток-подложка, площадь перехода исток-подложка, в свою очередь, определена с помощью электронного микроскопа. Концентрация носителей в дрейфовом слое для n-канального МОПТ определялась из значений пробивного напряжения диода p+-n--n+. Толщина подзатворного диэлектрика вычислялась из ВАХ в режиме сильнополевой инжекции Фаулер – Нордгейма.
Ключевые слова: гексагональная структура, мощные МОП-транзисторы.