УДК 538.958:535.8
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ С ПЛЕНКОЙ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ОБЛУЧЕННОЙ НАНОСЕКУНДНЫМ ИТТЕРБИЕВЫМ ЛАЗЕРОМ
В. С. Хилов, аспирант кафедры ОиТФиМПФ РГУ имени С.А. Есенина, Рязань, Россия;
orcid.org/0009-0002-1673-8029, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
В. В. Трегулов, д.т.н., профессор кафедры ОиТФиМПФ РГУ имени С.А. Есенина, Рязань, Россия;
orcid.org/0009-0001-1441-6918, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
А. И. Иванов, аспирант кафедры ОиТФиМПФ РГУ имени С.А. Есенина, Рязань, Россия;
orcid.org/0009-0002-7637-1433, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н В. Рыбина, к.ф.-м.н., доцент, доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ, Рязань, Россия;
orcid.org/0000-0003-0377-5605, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Н Б. Рыбин, к.ф.-м.н., доцент, доцент кафедры МНЭЛ РГРТУ, Рязань, Россия;
orcid.org/0000-0003-2000-0158, e-mail: Этот адрес электронной почты защищён от спам-ботов. У вас должен быть включен JavaScript для просмотра.
Исследовано влияние параметров режима облучения наносекундными лазерными импульсами иттербиевого волоконного лазера с длинной волны 1064 нм на динамику изменения концентрации дефектов с глубокими энергетическими уровнями. Показано, что облучение пленки por-Si полупроводниковой структуры por-Si/p-Si при длительности импульса 4 нс и средней энергии импульса 3,60·10-9 Дж приводит к снижению концентрации дефектов с глубокими энергетическими уровнями почти на два порядка величины. Дальнейшее увеличение длительности импульса и его средней энергии приводит к росту концентрации дефектов. Облучение лазером приводит к плавлению поверхностного слоя пленки por-Si. Установлены механизмы процессов, управляющие изменением концентрации дефектов с глубокими энергетическими уровнями. Показано, что электрофизические характеристики исследуемой полупроводниковой структуры por-Si/p-Si в значительной мере определяются ловушками с энергетическими уровнями, характеризующимися сложным распределением в области энергий активации.
Ключевые слова: пористый кремний, наносекундные лазерные импульсы, вольт- амперные характеристики, вольт-фарадные характеристики, глубокие энергетические уровни, генерационно-рекомбинационные процессы.